士兰集科拟扩产新增年产30万片IGBT功率器件芯片

士兰集科拟扩产新增年产30万片IGBT功率器件芯片

 

    5月26日,厦门市工信局公布《关于厦门士兰集科微电子有限公司新增年产30万片IGBT功率器件芯片扩产项目节能报告的审查意见》。该项目拟于2024年12月投入使用,将利用现有12英寸厂房FAB1在厂房二层和三层预留区域新增生产设备,共计使用建筑面积17748.48平方米,工艺面积计4000平方米,项目建成后可年产30万片12英寸IGBT功率器件芯片。